| 修慧欣 | ||
职称 | 副教授 | ||
任职 | 无 | ||
导师类型 | 硕士生导师 | ||
所属学科专业 | 材料科学与工程 | ||
电话 |
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邮箱 | Huixin.xiu@usst.edu.cn | ||
一、学习工作经历 | |||
2021.07-至今 | 门徒娱乐 | 副教授 | |
2019.08-2020.09 | 英国剑桥大学材料科学与冶金系 | 访问学者 | |
2015.05-2021.07 | 上海门徒娱乐平台材料门徒娱乐 | 讲师😫，院聘副教授 | |
2011.05-2015.04 | 美国FEI公司上海纳米港 | 应用工程师 | |
2009.11-2011.04 | 日本国立材料研究所 | 博士后 | |
2004.10-2009.05 | 英国剑桥大学材料科学与冶金系 | 哲学博士 | |
1997.09-2004.04 | 北京科技大学材料科学与工程门徒娱乐 | 学士/硕士 | |
二、研究方向 | |||
（1） 半导体材料与器件的退化机制和失效分析研究🫅； （2）先进电子显微学👨🏿🦰； （3）二维材料的界面研究🥍⏺； | |||
三🤯、科研成果 | |||
长期从事第三代半导体如GaN😣，SiC等的光电器件和电子器件的退化机制和失效分析，专长为用电子显微学技术研究同质和异质界面👨🏻🦰。主持国家自然科学基金项目1项、多项重点实验室开放基金及与企业合作的横向项目。共在《Applied Physics Letters》👨🏽⚕️、《Current Applied Physics》等国内外杂志发表学术论文20余篇,申请国家发明专利1项。 | |||
代表性项目： （1）“GaN基绿光激光器外延结构的应力弛豫机制及退化机制的研究”，国家自然科学基金青年项目，2018.01-2020.12 （2）“氮化镓HEMT器件缺陷表征及物理特性研究”🧏🏽，宽禁带半导体材料教育部重点实验室开放基金，2020.2-2021.11 | |||
代表性科研论文： （1）H. Xiu, et. al., Degradation behavior of deep UV-LEDs studied by electro-optical methods and transmission electron microscopy, Current Applied Physics, 19, 20-24 (2019) （2）Huixin Xiu et. al., Rapid degradation of InGaN/GaN green laser diodes, Superlattices and Microstructures, 142, 106517 (2020) （3）P. Wen, H. Xiu, et. al., Strain-Related Degradation of GaN-Based Blue Laser Diodes, IEEE JOURNAL OF SELECTED TOPICS IN QUANTUM ELECTRONICS, VOL. 25, NO. 6, 1502705 (2019) （4）H. Sukegawa, H. Xiu, et al., Tunnel Magnetoresistance with Improved Bias Voltage Dependence in Lattice-Matched Fe/Spinel MgAl2O4/Fe(001) Junctions, Applied Physics Letters 96 212505 (2010) | |||
四、学术任职 | |||
担任《Semiconductor Science and Technology》等学术期刊杂志审稿人。 | |||
五、授课情况 | |||
（1）主讲本科生课程《材料物理（英）》👩🏽🚒🍺、《现代材料分析方法（英）》 （2）主讲研究生课程《固体物理学》
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